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日本開發出EUV光刻設新技術,耗電量降至1/10
2024/08/13
半導體
日本沖繩科學技術大學院大學開發出一項技術,能夠大幅降低製造最尖端半導體所需的極紫外線(EUV)光刻設備的耗電量和製造成本。這項技術將從設備的光源到光刻的EUV路徑上配置的反光鏡數量從原來的10個減少到4個。這樣可以顯著減少EUV光源的耗電量。該大學將與企業合作,力爭實現這種設備的日本國産化。
上述新技術由沖繩科學技術大學院大學的新竹積教授開發。目前,EUV光刻設備由荷蘭半導體製造設備巨頭ASML控股獨家供應。現有設備的原理是使用雷射器産生EUV,並通過10個鏡子曲折反射到達晶圓,實現電路圖案的轉印,非常複雜。
EUV的能量每經一次反射就會衰減40%,因此最終僅有1%左右的能量能夠到達晶圓。而新技術只用4個反光鏡,有10%以上的能量能夠到達晶圓。以EUV光源為中心,整體耗電量可減至原來的約十分之一。設備的結構也可大幅簡化,因此當前估計需要200億日元左右的設備引入成本也幾乎可以減半。
沖繩科學技術大學院大學今後將利用實際設備二分之一大小的裝置,使用發光二極管(LED)進行驗證試驗,然後從2025年開始利用EUV進行驗證。新竹教授表示,「我們希望與企業合作,最早2026年開發出第一台設備」。